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傳合肥長鑫年底量產DDR4內存:19nm工藝、8Gb核心

根據合肥長鑫之前公開的資料,去年該公司與兆易創新達成了合作協議,共同開發19nm工藝的DRAM內存,去年底已經推出了8Gb DDR4內存樣品,今年Q3季度推出8Gb LPDDR4內存樣品,年底正式量產,月產能將達到2萬片晶圓,后續不斷提升到12.5萬片晶圓/月的目標產能。
   前不久紫光宣布在重慶投資數百億建設DRAM內存研發中心及晶圓廠,最快2021年量產,這對國產芯片,尤其是內存來說是一個大事件。不過在紫光之前,我們可能看到的第一個國產內存應該是合肥長鑫公司的,他們比紫光做內存更早,該公司2016年成立于安徽合肥,一期工程投資就高達72億美元(約合494億人民幣),將建設一座月產能12.5萬晶圓的內存廠,目前工廠建設已經進入了尾聲,正在進行設備安裝、調試階段。
傳合肥長鑫年底量產DDR4內存:19nm工藝、8Gb核心
  最新消息顯示,合肥長鑫的進展還很順利,已經提前進行機臺安裝,有望在Q4季度順利量產國內第一批內存。
 
  根據合肥長鑫之前公開的資料,去年該公司與兆易創新達成了合作協議,共同開發19nm工藝的DRAM內存,去年底已經推出了8Gb DDR4內存樣品,今年Q3季度推出8Gb LPDDR4內存樣品,年底正式量產,月產能將達到2萬片晶圓,后續不斷提升到12.5萬片晶圓/月的目標產能。
 
  此前在GSA+Memory存儲峰會上,長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講,提到了長鑫的DRAM內存技術來源,主要就是已破產的奇夢達公司,獲得了一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據,在此基礎上改進、研發自主產權的內存芯片,耗資超過25億美元。
 
  如果年底順利量產19nm工藝、8Gb核心的內存,雖然與美光、三星等公司的第三代10nm工藝還有一兩代的代差,但是這個技術水平還是可以的,因為市面上很多內存條也就是這個規格,用于制備單條8GB、16GB的內存條是OK的,可以說國產內存的起點是非常高的,但后續的良率、產能提升才是關鍵,在這個市場上賺到錢活下去并不容易。
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